Долгие пруды. Новости

Яндекс.Погода

вторник, 19 июня

пасмурно+20 °C

Онлайн трансляция

В МФТИ начаты работы по производству магнитной памяти нового поколения

18 марта 2016 г., 12:58

Просмотры: 408


Московский физико-технический институт (государственный университет) (МФТИ) и ООО «Крокус НаноЭлектроника» (КНЭ) и приступили к работам в рамках совместной исследовательской программы по разработке и апробации технологии производства магнитной памяти нового поколения STT-MRAM. Об этом сообщили 16 марта в пресс-службе МФТИ.

Московский физико-технический институт (государственный университет) (МФТИ) и ООО «Крокус НаноЭлектроника» (КНЭ) и приступили к работам в рамках совместной исследовательской программы по разработке и апробации технологии производства магнитной памяти нового поколения STT-MRAM. Об этом сообщили 16 марта в пресс-службе МФТИ.

«Партнеры направят свои усилия на разработку новых материалов, дизайн устройств, а также разработку методов их контроля и моделирования, - отмечается в заявлении. Успешная реализация программы позволит создать условия для производства на предприятии КНЭ продуктов, использующих технологию STT-MRAM.

Магнитная технология STT-MRAM использует «перенос спина» для перезаписи ячеек памяти. Применение этого эффекта позволяет уменьшить величину тока, необходимую для записи информации в ячейку, а также использовать техпроцесс от 90 до 22 нанометров и ниже. Данная технология считается основным кандидатом на замещение динамической оперативной памяти в ближайшем будущем.


Заместитель заведующего лабораторией физики магнитных гетероструктур и спинтроники для энергосберегающих информационных технологий и руководитель работ от МФТИ Дмитрий Лещинер рассказал: «В МФТИ наработана уникальная экспертиза в исследовании новых материалов и структур для микроэлектроники. Мы ожидаем, что наш вклад и совместные усилия позволят КНЭ запустить производство STT-MRAM памяти в России в самое короткое время».

«Крокус НаноЭлектроника» — единственная в Европе коммерческая площадка для производства памяти и сенсоров на основе магнитных туннельных структур. 

Пресс-служба МФТИ